首页 | 综合通知 | 教务教学 | 学术交流 | 留学信息 | 科研管理 | 文献服务 | 招标信息 | 网络服务 
当前位置: 校园公告>>综合通知>>正文
感应耦合等离子刻蚀系统(ICP)免费试运行通知
2018-04-09 17:53   分析测试中心 审核人:   (点击: )

等离子刻蚀技术是材料和器件微纳加工的关键技术,是微电子、纳米材料、凝聚态物理、光电子、微机械、微纳米光学等领域器件制备的基础。为了满足我校多学院课题组的微纳加工需求,校分析测试中心购置了等离子刻蚀系统(ICP)一套,现已完成了指标工艺调试,拟于4月9日面向校内外用户试运行,欢迎校内外师生预约测试!该设备采用真空进样室,可快速地进行晶片的传送,配备了O2ArCHF3SF6C4F8CF4等多路工艺气体,可以支持SiSiO2Si3N4SiC等多种材料的刻蚀加工

一、设备信息

设备名称:感应耦合等离子刻蚀系统(ICP);

品牌:牛津仪器Oxford Instruments;

型号:Plasma Pro 100 Cobra 300。

二、设备技术指标

1、反应腔室:温控精度<=±1℃;下电极控温范围不小于-30~80(冷水机控温,精度± 0.5 °C),更高温度可以采用下电极的电加热功能。基板电极具备加热与冷却功能。

2、真空系统:工艺室极限真空优于≤9×10-7mbar,配置Edwards STPA1603CV分子泵与Edwards IGX100N干泵;预真空室极限真空优于0.1 mbar,采用Edwards nXDS15i干泵。能够实现预真空室与工艺室之间晶片的传送。100 mT薄膜电容真空计(1.33 x 10 to 1.33 x 10-6Pa);20分钟内压强<10-4Pa;自动压力控制。

3、预抽室:Edwards nXDS15i干泵,抽速≥15m³/hour。

4、气体输送系统:O2,Ar, CHF3, SF6, C4F8,CF46路气体;质量由MFC控制,控制精度优于1%。

5、射频电源:偏压发生器13.56兆赫兹,300;感应耦合等离子(ICP)发生器,功率:13.56兆赫兹,3000

6、工艺要求:刻蚀均匀性,片内≤±5%、片与片≤±5%、批与批≤±5%。

三、工艺指标

Parameter

High-rate DSiE

High Aspect Ratio DSiE

SiO2ICP mode

SiO2RIE mode

SiNx (PECVD)

SiC

Process Chemistry

工艺气体

SF6-C4F8

Bosch

SF6-C4F8

Bosch

C4F8-O2

CHF3-Ar

CHF3-SF6

SF6-O2

Feature Size µm (Trench)

特征尺寸

50

2

10

10

10

10

Exposed Area /%

< 5

< 5

<100

<100

<10

<10

Etch rate /µm/min

刻蚀速率

>8

>1

>0.2

>0.03

>0.05

>0.1

PR Selectivity

选择比

>120

>20

>1

>3

>2

>2

SiO2Selectivity

SiO2选择比

>200

>40

NA

NA

NA

>0.5

Profile control

轮廓角度

90°±1°

90°±0.5°

>87°

>87°

>87°

>85°

Scallop/roughness /nm

侧壁粗糙度

< 400

< 100

NA

NA

NA

NA

Uniformity (in-wafer) /±%

片内均一性

< 5%

< 5%

< 5%

< 5%

< 5%

< 5%

Reproducibility (run-run) /±%

重复性

< 5%

< 5%

< 5%

< 5%

< 5%

< 5%

Aspect Ratio

深宽比

>1

<50

NA

NA

NA

NA

目前已经完成三种指标工艺的调试和验收:高速率深硅刻蚀、二氧化硅RIE刻蚀、氮化硅刻蚀。另外三种指标工艺(高深宽比深硅刻蚀、二氧化硅ICP刻蚀、碳化硅刻蚀)将在中心SEM就位后进行调试,调试完成后开放运行。除了上述六种标准工艺外,其他非标准工艺由用户或工程师协助进行调试,调试期间的结构表征费用(台阶仪、SEM等)由用户自行承担。

四、试运行办法

1.试运行时间:49日至59

2.试运行模式:采用送样预约测试,中心设备管理老师根据预约与用户沟通具体工艺;

3.试运行收费标准:校内免费,校外1000/小时

硅或氧化硅载片等耗材按照实际费用收取,或用户自备。工艺过程中的表征测试,如SEM、台阶仪、膜厚仪等,需用户自行表征测试,相关费用由用户承担;

4.样品说明和要求:见预约系统ICP设备的公告栏;如有疑问请咨询设备管理老师;

5.工艺开放说明:目前开放三种指标工艺:高速率深硅刻蚀、二氧化硅RIE刻蚀、氮化硅刻蚀,其他工艺可以由工程师协助进行试片调试,确认刻蚀工艺参数;

6.设备测试和放置地点:长安校区实验大楼B105超净室内

7.设备管理老师:王杰;

8.测试咨询电话:029-88430850或15929947710;

9.注册账号流程网址:http://atc.nwpu.edu.cn/index/cslc.htm

10.测试中心账号管理员:郑调,电话029-88460747。

分析测试中心

2018年4月8日

关闭窗口
最新公告
关于高雅艺术进校园——国家京剧院赴...
【会议通知】2018年仿真学术交流会
西北工业大学2018迎新文艺晚会预告
校历(2018-2019)
外国语学院“一带一路”跨文化研究所...
关于2019年创新型人才国际合作培养项...
2018年水下无人系统技术高峰论坛”—...
关于研究生教育综合管理系统(学位部...
关于举办陕西省第一届大学生工程制图...
“乘风破浪,扬帆启航”2018西北工业...
西工大主页  招聘信息  就业信息  本科招生  研招信息
版权所有©西北工业大学  地址:西安市友谊西路127号 邮编:710072